GFC9130 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GFC9130
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内容描述：	P沟道功率MOSFET [P Channel Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 110 K
品牌：	GSG [ GUNTER SENICONDUCTOR GMBH. ]

冈特半导体有限公司

P沟道功率MOSFET

GFC9130

芯片的特定网络阳离子

概述：

*先进的工艺技术

*动态的dv / dt额定值

* 175 ℃工作温度

℃

*快速切换

*全额定雪崩

机械数据：

D39

2.88毫米X 4.57毫米

维

400

厚度：

金属化：

上图：

CrNiAg /金

背面：

建议粘合条件：

模具安装方式：

焊锡执行

95/5铅锡或92.5 / 2.5 / 5 PbAgIn

10密耳的铝

源极连接线：

绝对最大额定值

特征

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

连续漏极电流（在目标包）

工作结茁度

储存温度

@Ta=25℃

℃

符号

- V （ BR ） DSS

RDS （ ON）

--ID@25℃

--ID@100℃

极限

单位

测试条件

−

VGS = 0V， -ID = 250μΑ

−

VGS = 10V ， - ID = 7.2Α

- VGS = 10V

100

0.3

8.2

-55~175

Ω

℃

STR

目标设备： IRF9530

TO-220AB

@Tc=25℃

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