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GFCE30图片预览
型号: GFCE30
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内容描述: N沟道功率MOSFET具有低RDS ( ON) [N Channel Power MOSFET with low RDS(on)]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 92 K
品牌: GSG [ GUNTER SENICONDUCTOR GMBH. ]
   
冈特半导体有限公司
N沟道功率MOSFET,低R
DS ( ON)
GFCE30
芯片的特定网络阳离子
概述:
*先进的工艺技术
*动态的dv / dt额定值
* 150 ℃工作温度
*快速切换
*全额定雪崩
*低字节R
DS ( ON)
机械数据:
D17
4.42毫米X 5.23毫米
480
µ
m
厚度:
金属化:
Al
上图:
:
CrNiAg /金
背面:
建议粘合条件:
模具安装方式:
焊锡执行
95/5铅锡或92.5 / 2.5 / 5 PbAgIn
源极连接线:
10密耳的铝
绝对最大额定值
特征
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
连续漏极电流(在目标包)
连续漏极电流(在目标包)
工作结
储存温度
@Ta=25℃
符号
V( BR ) DSS
RDS ( ON)
ID@25℃
ID@100℃
Tj
极限
单位
测试条件
VGS = 0V ,ID = 250μΑ
VGS = 10V ,ID = 2.5A
VGS=10V
VGS=10V
800
3.2
27
19
-55~150
-55~150
V
A
A
T
STR
目标设备: IRFBE30
TO-220AB
P
D
125
W
@Tc=25℃