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GS71024T-10 参数 Datasheet PDF下载

GS71024T-10图片预览
型号: GS71024T-10
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内容描述: 64K ×24的1.5Mb异步SRAM [64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 279 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS71024T/U  
Write Cycle 1: WE control  
t
WC  
Address  
OE  
t
t
WR  
AW  
t
t
CW  
(*1)  
CE1  
VW  
t
VS  
V/S  
WE  
t
t
WP  
AS  
(*2)  
t
t
DH  
DW  
Data valid  
Data In  
t
t
WLZ  
WHZ  
Data Out  
High impedance  
(*3)  
*1 CE1 represents both CE1 low and CE2 high.  
(*3)  
*2 Write is executed when both CE1 and WE are at low simultaneously.  
*3 Do not apply the data input voltage to the output while DQ pin is in output condition.  
Write Cycle 2: CE control  
t
WC  
Address  
OE  
t
t
WR1  
AW  
t
t
t
AS  
CW  
VW  
(*1)  
CE1  
V/S  
WE  
t
WP  
t
t
DH  
DW  
Data valid  
Data In  
Data Out  
High impedance  
*1 CE1 represents both CE1 low and CE2 high.  
Rev: 1.05 11/2004  
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© 1999, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.