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GS74117AX-12 参数 Datasheet PDF下载

GS74117AX-12图片预览
型号: GS74117AX-12
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内容描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 347 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74117AX
FP-BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
• Fast access time: 7, 8, 10, 12 ns
• CMOS low power operation: 150/130/105/95 mA at
minimum cycle time
• Single 3.3 V power supply
• All inputs and outputs are TTL-compatible
• Byte control
• Fully static operation
• Industrial Temperature Option: –40° to 85°C
• Package:
X: 6 mm x 10 mm Fine Pitch Ball Grid Array
package
256K x 16
4Mb Asynchronous SRAM
1
2
3
7, 8, 10, 12 ns
3.3 V V
DD
Center V
DD
and V
SS
4
5
6
Fine Pitch BGA 256K x 16 Bump Configuration
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
1
DQ
3
V
SS
V
DD
DQ
6
DQ
8
NC
OE
UB
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
NC
A
12
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
NC
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
DD
V
SS
Description
The GS74117A is a high speed CMOS Static RAM organized
as 262,144 words by 16 bits. Static design eliminates the need
for external clocks or timing strobes. The GS operates on a
single 3.3 V power supply and all inputs and outputs are TTL-
compatible. The GS74117A is available in a 6 x 10 mm Fine
Pitch BGA package.
DQ
10
DQ
11
WE
A
15
DQ
9
NC
Pin Descriptions
Symbol
A
0
–A
17
DQ
1
–DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
Package X
6 x 10 mm Bump Pitch
Top View
Description
Address input
Data input/output
Chip enable input
Lower byte enable input
(DQ1 to DQ8)
Upper byte enable input
(DQ9 to DQ16)
Write enable input
Output enable input
+3.3 V power supply
Ground
No connect
Rev: 1.02 10/2002
1/12
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.