GS71024T/U
TQFP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间： 8 ， 9 ， 10 ， 12 ， 15纳秒
• CMOS低功耗运行： 190/170/160/130/110毫安
最小循环时间。
•单3.3 V± 0.3 V电源供电
•所有输入和输出为TTL兼容
•全静态工作
•工业温度选项： -40〜 85°C
•包
T： 100引脚TQFP封装
U： 6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列
GT ：无铅100引脚TQFP封装
64K ×24
1.5MB异步SRAM
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
8 ，9，10 ，12，15纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
细间距BGA焊球配置
5
6
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
DQ
A
3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
15
A
2
CE2
CE1
A
5
A
7
A
9
A
11
A
14
A
1
WE
OE
A
4
A
6
A
8
A
10
A
13
A
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
12
DQ
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
描述
该GS71024是一个高速CMOS静态RAM组织为
65,536字由24位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS71024运行在一个
采用3.3 V单电源供电，并且所有的输入和输出与TTL
兼容。该GS71024可在6毫米×8毫米微调
间距BGA封装，并采用100引脚TQFP封装。
6毫米×8毫米， 0.75毫米凸点节距
顶视图
引脚说明
符号
A
0
到A
15
X / Y
WE
CE1 ， CE2
V
DD
描述
地址输入
向量输入
写使能输入
芯片使能输入
+3.3 V电源
符号
DQ
1
到DQ
24
V / S
OE
—
V
SS
描述
数据输入/输出
地址多路控制
输出使能输入
—
地
框图
A0
ROW
解码器
地址
输入
A14
A15
X / Y
V / S
CE1
CE2
WE
OE
存储阵列
1024 x 1536
0
1
Q
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ1
DQ24
冯： 1.05 11/2004
1/13
©1999 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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