GS73024AB
ns
3.3 V V
DD
V
DD
和V
SS
商用温度
工业级温度
特点
异步SRAM
119焊球球栅阵列封装
•快速存取时间: 8 , 10 , 12纳秒
• CMOS低功耗运行: 250/200/170毫安最低
周期
•单3.3 V± 0.3V电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•全静态工作
•工业温度选项: -40〜 85°C
•包
B: 14毫米×22毫米, 119焊球, 1.27mm间距的BGA
描述
该GS73024A是有组织的高速CMOS静态RAM
如131,072字由24位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。运行于单
3.3 V电源供电,所有输入和输出
TTL兼容。该GS73024A可在119凸点
BGA封装。
框图
A
0
地址
输入
A
16
CE
ROW
解码器
存储阵列
COLUMN
解码器
控制
WE
OE
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
24
引脚说明
符号
A
0
到A
16
WE
CE
V
DD
描述
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
+3.3 V电源
符号
DQ
1
到DQ
24
OE
V
SS
描述
数据输入/输出
输出使能输入
地
冯: 1.03 12/2005
1/12
© 2003 , GSI技术
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