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GS74104AGP-10 参数 Datasheet PDF下载

GS74104AGP-10图片预览
型号: GS74104AGP-10
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内容描述: 1M ×4 4Mb的异步SRAM [1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 516 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74104ATP/J
SOJ , TSOP
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间: 8 , 10 , 12纳秒
• CMOS低功耗运行: 120/95/85毫安最低
周期
•采用3.3 V单电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•全静态工作
•工业温度选项: -40°至85°C
•封装阵容
记者: 400万, 32引脚封装SOJ
GJ :符合RoHS的400万, 32引脚封装SOJ
目标价: 400万, 44引脚TSOP II型封装
GP :符合RoHS的400万, 44引脚TSOP II型
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
V
DD
V
SS
DQ
2
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
1M ×4
4MB SRAM的异步
8 ,10,12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ 1M ×4针Configuraton
1
2
3
4
5
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21
20
19
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17
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
OE
DQ
4
V
SS
V
DD
DQ
3
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
NC
32-pin
400万SOJ
描述
该GS74104A是有组织的高速CMOS静态RAM
为1,048,576字由4位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS74104A可在400万和SOJ
400万TSOP II型封装。
TSOP -II 1M ×4引脚配置
NC
NC
NC
A
4
A
3
A
2
1
2
3
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44
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42
41
40
39
38
37
36
35
NC
NC
NC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
OE
DQ
4
V
SS
V
DD
DQ
3
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
NC
NC
NC
NC
引脚说明
符号
A
0
–A
19
DQ
1
-DQ
4
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
无连接
A
1
A
0
CE
DQ
1
V
DD
V
SS
DQ
2
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
NC
NC
NC
44-pin
400万TSOP II
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
冯: 1.06 6/2006
1/11
© 2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。