GS74116TP/J/U
SOJ ， TSOP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间： 8 ， 10 ， 12 ，为15ns
• CMOS低功耗运行： 170/145/130/110毫安min.cycle时间。
•单3.3V ± 0.3V电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•字节控制
•全静态工作
•工业温度选项： -40°至85°C
•封装阵容
记者： 400mil ， 44引脚封装SOJ
TP ： 400mil ， 44引脚TSOP II型封装
U： 7.20毫米X 11.65毫米细间距球栅阵列封装
256K ×16
4MB SRAM的异步
SOJ 256K ×16引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
8，10 ，12，为15ns
3.3V V
DD
中心V
DD
＆放大器; V
SS
顶视图
44 PIN
SOJ
描述
该GS74116是一个高速CMOS静态RAM组织为
262,144字×16位。静态设计省去了克斯特
最终时钟或定时选通。工作在3.3V单电源供电
和所有的输入和输出为TTL兼容。该GS74116是可用
能够在7.2x11.65毫米细间距BGA封装， 400万和SOJ
400万TSOP II型封装。
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
引脚说明
符号
A
0
到A
17
DQ
1
到DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
（ DQ1到DQ8 ）
高字节使能输入
（ DQ9到DQ16 ）
写使能输入
输出使能输入
+ 3.3V电源
地
无连接
细间距BGA 256K ×16配置跳车
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
16
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
WE
A
15
NC
DQ
1
DQ
3
V
DD
V
SS
DQ
6
DQ
8
NC
DQ
14
DQ
15
V
SS
V
DD
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
NC
A
12
7.2x11.65mm 0.75毫米凸块间距
顶视图
冯： 2.02 3/2000
1/14
©1999 ，千兆半导体公司
N
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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