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GS74117AX-12 参数 Datasheet PDF下载

GS74117AX-12图片预览
型号: GS74117AX-12
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内容描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 347 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74117AX
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试在T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
2.这些参数进行采样和不是100 %测试。
DC I / O引脚特性
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
输出高Z
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安
I
LO
= 4毫安
- 1微安
-1微安
2.4
最大
1微安
1微安
0.4 V
电源电流
参数
符号
测试条件
CE
V
IL
所有其它输入
V
IH
or
V
IL
分钟。周期
I
OUT
= 0毫安
CE
V
IH
所有其它输入
V
IH
or
≤V
IL
分钟。周期
CE
V
DD
– 0.2 V
所有其它输入
V
DD
- 0.2 V或
0.2 V
0至70℃
7纳秒
8纳秒
10纳秒
12纳秒
7纳秒
-40到85°C
8纳秒
10纳秒
12纳秒
单位
操作
供应
当前
I
DD
150
130
105
90
160
140
115
100
mA
待机
当前
I
SB1
28
30
25
22
38
40
35
32
mA
待机
当前
I
SB2
10
20
mA
冯: 1.02 10/2002
4/12
©2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。