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GS74116AJ-7 参数 Datasheet PDF下载

GS74116AJ-7图片预览
型号: GS74116AJ-7
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内容描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 421 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74116ATP/J/X
SOJ , TSOP , FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间: 7 , 8 , 10 , 12纳秒
• CMOS低功耗运行: 150/130/105/95毫安
最小周期时间
•采用3.3 V单电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•字节控制
•全静态工作
•工业温度选项: -40°至85°C
•封装阵容
记者: 400万, 44引脚封装SOJ
目标价: 400万, 44引脚TSOP II型封装
X :6毫米×10毫米细间距球栅阵列
256K ×16
4MB SRAM的异步
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
A
16
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
7,8, 10,12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ 256K ×16引脚配置(组合J )
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
17
顶视图
44-pin
SOJ
描述
该GS74116A是有组织的高速CMOS静态RAM
如262,144字由16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS74116A可在一个6×10毫米微调
间距BGA封装, 400万SOJ和400万TSOP II型
包。
引脚说明
符号
A
0
–A
17
DQ
1
-DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
FP -BGA 256K ×16焊球配置(包X)
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
( DQ1到DQ8 )
高字节使能输入
( DQ9到DQ16 )
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
无连接
6 ×10mm的凹凸间距
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
16
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
8
A
10
A
13
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
9
A
11
A
14
A
2
CE
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
WE
A
15
NC
DQ
1
DQ
3
V
DD
V
SS
DQ
6
DQ
8
NC
1
2
3
4
5
6
DQ
14
DQ
15
V
SS
V
DD
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
NC
A
12
冯: 1.03 10/2002
1/14
©2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。