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GS78108AB-12I 参数 Datasheet PDF下载

GS78108AB-12I图片预览

型号：	GS78108AB-12I
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内容描述：	1M ×8的8Mb异步SRAM [1M x 8 8Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小：	11 页 / 675 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

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GS78108AB

BGA

商用温度

工业级温度

特点

•快速存取时间： 8 ， 10 ， 12纳秒

• CMOS低功耗运行： 240/190/170毫安最低

周期

•单3.3 V± 0.3 V电源供电

•所有输入和输出为TTL兼容

•全静态工作

•工业温度选项： -40°至85°C

• 14毫米×22毫米， 119焊球，1.27 mm间距球栅阵列

包

•符合RoHS标准的封装

1M ×8

8MB异步SRAM

8 ，10，12纳秒

3.3 V V

DD

符号

A

0

到A

19

DQ

1

到DQ

8

CE

WE

OE

V

DD

V

SS

NC

引脚说明

描述

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

+3.3 V电源

地

无连接

描述

该GS78108A是有组织的高速CMOS静态RAM

为1,048,576字×8位。静态设计省去了

外部时钟或定时选通。在GS78108operates

采用3.3 V单电源供电，并且所有的输入和输出

TTL兼容。该GS7810A8处于可用

14毫米X 22毫米BGA封装。

框图

A

0

地址

输入

卜FF器

ROW

解码器

存储阵列

A

19

CE

WE

OE

COLUMN

解码器

控制

I / O缓冲器

DQ

1

DQ

8

冯： 1.04 5/2006

1/11

© 2003 ， GSI技术

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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