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GS78116B-15 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GS78116B-15
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内容描述: 512K ×16的8Mb异步SRAM [512K x 16 8Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 415 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS78116B
BGA
商用温度
工业级温度
特点
•快速存取时间: 10 , 12 , 15纳秒
• CMOS低功耗运行: 300/250/220/180毫安
最小周期时间
•单3.3 V± 0.3 V电源供电
•所有输入和输出为TTL兼容
•全静态工作
•工业温度选项: -40°至85°C
• 14毫米×22毫米, 119焊球,1.27 mm间距球栅阵列
512K ×16
8MB异步SRAM
引脚说明
符号
A
0
到A
18
DQ
1
到DQ
16
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
10 ,12,15纳秒
3.3 V V
DD
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
无连接
描述
该GS78116是一个高速CMOS静态RAM组织为
524,288字×16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。在GS78116运行在一个
采用3.3 V单电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS78116提供14毫米× 22毫米
BGA封装。
框图
A
0
地址
输入
卜FF器
ROW
解码器
存储阵列
A
18
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ
1
DQ
16
冯: 1.02 9/2001
对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
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©1999 ,千兆半导体公司