GS81032AT/Q-150/138/133/117/100/66
TQFP , QFP
商用温度
工业级温度
特点
• FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
•单周期取消( SCD )的操作
• 3.3 V +10 % / - 5 %,核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•默认为交错管道模式
•字节写( BW)和/或全局写( GW )的操作
•常见的数据输入和数据输出
•时钟控制,注册地址,数据和控制
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP或QFP封装
-150
管道TCYCLE 6.6
3-1-1-1
t
KQ
3.8
I
DD
270
流动TCYCLE 10.5
至T
KQ
9
2-1-1-1
I
DD
170
-138 -133
7.25 7.5
4
4
245 240
15
15
9.7
10
120 120
-117
8.5
4.5
210
15
11
120
-100
10
5
180
15
12
120
-66
12.5
6
150
20
18
95
单位
ns
ns
mA
ns
ns
mA
32K ×32
1M同步突发SRAM
流经/管道读取
150兆赫, 66兆赫
9 NS- 18 NS
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户(引脚14 ) 。抱着FT模式
引脚为低电平时, RAM的流量通过模式,导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式,激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS81032A是SCD (单周期取消)流水线
同步SRAM 。 DCD (双循环取消)版本
也可提供。 SCD的SRAM管线取消命令之一
舞台小于读取命令。 SCD的RAM开始关闭
它们的输出后,立即取消命令已
捕获到的输入寄存器。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
(BW)的输入与一个或多个单独的字节的写
信号( Bx的) 。此外,全局写( GW)是供
写的字节写入所有字节在同一时间,不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗(休眠模式)通过断言实现
(高)的ZZ的信号,或通过停止时钟(CK) 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
功能说明
应用
该GS81032A是1,048,576位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用,所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序,
从DSP总店联网芯片组的支持。
核心和接口电压
在GS81032A工作在3.3 V电源和所有
输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率(V
DDQ
)引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
控制
地址,数据I / O的芯片使(E
1
, E
2
, E
3
) ,地址爆
控制输入( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( Bx的,BW , GW)是同步的,并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端( CK) 。输出使能( G)
和断电控制( ZZ )是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下,会产生后续的突发地址
在内部,并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序( LBO )的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
冯: 1.01 7/2001
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©2000 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。