GS8161FZ18/32/36BD
165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
•流经模式
• NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率
•完全引脚兼容，流过NtRAM ™ ， NOBL ™
和ZBT SRAM的™
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
• 2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•用2M ， 4M ， 8M和设备的引脚兼容
•字节写操作（ 9位字节）
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准的165焊球FP- BGA封装
•符合RoHS标准的165焊球BGA封装
18MB流量通过
同步NBT SRAM
5.5 NS- 7.5纳秒
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能， ZZ和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8161FZ18 / 32 / 36BD被配置在流操作
直通模式。
该GS8161FZ18 / 32 / 36BDis与GSI的实现高
性能CMOS技术和可在JEDEC-
标准的165焊球FP- BGA封装。
功能说明
该GS8161FZ18 / 32 / 36BD是18Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或
通过读/单后写的SRAM等流程，允许
通过消除利用所有可用的总线带宽
需要插入取消选择周期时，该设备是由切换
读取写入周期。
参数简介
-5.5
流经
2-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
5.5
5.5
225
255
-6.5
6.5
6.5
200
220
-7.5
7.5
7.5
185
205
单位
ns
ns
mA
mA
冯： 1.00 6/2006
1/28
© 2006年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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