GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
119- ， 165- ， & 209焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
1M ×18 ， 512K ×36 ， 256K X 72
18MB同步突发静态存储器
250兆赫， 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
功能说明
控制
地址，数据的I / O ，芯片使能（ E1 ） ，地址突发控制
输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入（ BX， BW ，
GW）是同步的，并通过一个正边沿被控制
触发时钟输入（CK） 。输出使能（ G）和断电
控制（ ZZ ）是异步输入。脉冲串的周期可以启动
无论是与ADSP或ADSC输入。在连拍模式下，后续的
内部产生并通过控制猝发地址
ADV 。猝发地址计数器可以被配置为计数中
线性或交错为了与线性突发顺序（ LBO ）
输入。连拍功能不需要使用。新地址可以
在每个周期的芯片的性能不会降低加载。
ICA
TI Ø
n
sp
ec
if
x3
6
pa
流经/管道读取
的数据输出寄存器中的功能可以由控制
通过FT模式的用户。抱着FT模式引脚的地方低
RAM的流量通过模式，导致输出数据绕过
rt
s
in
th
is
参数简介
-250
t
KQ
TCYCLE
CURR （ X18 ）
CURR （ X36 ）
CURR （ X72 ）
t
KQ
TCYCLE
CURR （ X18 ）
CURR （ X36 ）
CURR （ X72 ）
2.5
4.0
280
330
不适用
5.5
5.5
175
200
不适用
ar
eN
ot
应用
该GS816218 （B / D） / GS816236 （B / D） / GS816272 （C ）是
18874368位高性能同步SRAM与一个2位的
爆地址计数器。虽然一个类型的最初开发用于
2级缓存的应用程序支持高性能的CPU ，
该设备现在发现在同步SRAM的应用
应用，从DSP总店联网芯片组
支持。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写字节写入控制的所有字节在同一时间，不管
输入。
FLXDrive ™
该ZQ引脚允许较高的驱动力之间选择（ ZQ低）
多点总线的应用程序和正常的驱动强度（ ZQ
浮动或高）点至点应用。看到输出驱动器
特性图表的详细信息。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现（高）
在ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。存储器的数据是
在休眠模式下保持不变。
核心和接口电压
该GS816218 （B / D） / GS816236 （B / D） / GS816272 （ C）上运行
2.5 V或3.3 V电源。所有的输入都是3.3 V和2.5 V
兼容。单独的输出电源（V
DDQ
）引脚用于
分离与内部电路的输出噪声，并采用3.3 V和
2.5 V兼容。
x1
8a
nd
-225
2.7
4.4
255
300
不适用
6.0
6.0
165
190
不适用
Re
co
m
-200
3.0
5.0
230
270
350
6.5
6.5
160
180
225
m
-166
3.4
6.0
200
230
300
7.0
7.0
150
170
115
en
d
ed
• FT引脚为用户配置或通过管道操作流程
•单/双循环取消选择
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
• ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
• 2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•默认为SCD X18 / X36交错管道模式
•字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准119- ， 165-和209焊球BGA封装
SCD和DCD流水线读
该GS816218 （B / D） / GS816236 （B / D） / GS816272 （ C）是SCD
（单周期取消）和DCD （双循环取消）
流水线同步SRAM 。 DCD的SRAM管道关闭
命令，以相同程度的读命令。 SCD的SRAM
管道命令取消一个阶段比读取命令少。
SCD的RAM开始后，立即关闭其输出
取消命令已被抓获，在输入寄存器。 DCD
RAM中保存取消命令一个完整的周期，然后
开始只是之后的第二个上升沿关闭它们的输出
时钟。用户可以配置该SRAM用于任一模式
操作使用SCD模输入。
-150
3.8
6.7
185
215
270
7.5
7.5
145
165
210
fo
rN
ew
-133
4.0
7.5
165
190
245
8.5
8.5
135
150
185
管道
3-1-1-1
3.3 V
Th
e
流经
2-1-1-1
3.3 V
冯： 2.17 11/2004
1/41
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
De
SIG
n
单位
ns
ns
mA
mA
mA
ns
ns
mA
mA
mA
数据输出寄存器。控股FT高处的RAM中
管道模式，激活的上升沿触发数据输出
注册。
©1999 ， GSI技术
.
GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
