GS8182S18D-267/250/200/167
165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
•同时读取和写入SigmaQuad ™接口
• JEDEC标准的引脚和封装
•双双数据速率接口
•采样数据的时间字节写控制
• DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来
频率调节
•突发的2读取和写入
• 1.8 V + 150 / -100 mV的核心供电
• 1.5 V或1.8 V HSTL接口
•流水线读操作
•完全一致的读取和写入管道
• ZQ模式引脚可编程输出驱动强度
• IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
• 165焊球， 13毫米×15毫米1毫米焊球间距的BGA封装
•符合RoHS标准的165焊球BGA封装
•未来的36MB ， 72MB ， 144MB和器件引脚兼容
2 18MB爆
DDR SigmaSIO -II SRAM
267兆赫， 167兆赫
1.8 V V
DD
1.8 V和1.5 V的I / O
底部视图
165焊球， 13毫米×15毫米BGA
1毫米凸块间距， 11 ×15阵列的凹凸
JEDEC标准。 MO- 216 ，变化CAB- 1
内部连接到触发输出寄存器代替。每个突发
2 SigmaSIO -II SRAM还提供回波时钟输出，
CQ和，这是与读出的数据输出的同步。
当在源同步时钟方案，回声使用
时钟输出可用于触发输入寄存器中的数据的
目的地。
因为独立的I / O连拍2的RAM始终处于传输数据
两包， A0在内部设置为0表示第一个读或写
转移，并自动增加1的下一个
传输。由于LSB是并列关内，地址
2的RAM一阵领域始终是一个地址引脚小于
通告的索引深度（例如， 1M ×18有512K
可寻址的索引） 。
SigmaRAM ™系列概述
GS8182S18构建符合SigmaSIO -II的
SRAM引脚排列标准独立的I / O同步SRAM 。
他们是18874368位（ 18MB ）的SRAM 。这些是第一个在
一个家庭的宽，非常低的电压HSTL I / O设计的SRAM
在实现经济高所需要的速度来操作
高性能网络系统。
时序和解决方案
2 SigmaSIO - II SRAM的突发是一个同步装置。它
采用双输入寄存器时钟输入， K和K的器件
还允许用户操纵输出寄存器时钟
输入准独立的双输出寄存器时钟
输入，C和C如果C时钟拉高，在K时钟
参数简介
-267
TKHKH
TKHQV
3.75纳秒
0.45纳秒
-250
4.0纳秒
0.45纳秒
-200
5.0纳秒
0.45纳秒
-167
6.0纳秒
0.5纳秒
冯： 1.08A 8/2005
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© 2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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