GS82032AT-180/166/150/133/100/66/4/5/6
TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• FT引脚用户可配置的过流或流水线操作
化
•单周期取消（ SCD ）的操作
• 3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•默认为交错流水线模式
•字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
•常见的数据输入和数据输出
•时钟控制，注册地址，数据和控制
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
•无铅100引脚TQFP封装
64K ×32
2MB同步突发SRAM
180兆赫， 66兆赫
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户（引脚14的TQFP ） 。控股
金融时报MODE引脚为低电平时， RAM的流量直通模式，
使输出数据绕过数据输出寄存器。
控股FT高处的RAM在流水线模式，
激活的上升沿触发的数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS82032A是SCD （单周期取消）流水线
同步SRAM 。 DCD （双循环取消）版本
也可提供。 SCD的SRAM管线取消命令之一
舞台小于读取命令。 SCD的RAM开始关闭
它们的输出后，立即取消命令已
捕获到的输入寄存器。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
在GS82032A工作在3.3 V电源和所有
输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率（V
DDQ
）引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
功能说明
应用
该GS82032A是2,097,152位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用，所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，
从DSP总店联网芯片组的支持。
控制
地址，数据I / O的芯片使（E
1
, E
2
, E
3
） ，地址爆
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
参数简介
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
TCYCLE
t
KQ
I
DD
TCYCLE
t
KQ
I
DD
-180
5.5纳秒
3.2纳秒
155毫安
9.1纳秒
8纳秒
百毫安
-166
6纳秒
3.5纳秒
140毫安
10纳秒
8.5纳秒
90毫安
-150
6.6纳秒
3.8纳秒
130毫安
10.5纳秒
9 NS
85毫安
-133 (-4)
7.5纳秒
4纳秒
115毫安
12纳秒
10纳秒
80毫安
-100 (-5)
10纳秒
5纳秒
90毫安
15纳秒
12纳秒
65毫安
-66 (-6)
12.5纳秒
6纳秒
65毫安
20纳秒
18纳秒
50毫安
冯： 1.12 10/2004
1/22
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