初步
GS8320E18/32/36T-xxxV
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• FT引脚用户可配置的过流或管道
手术
•单双循环取消（ SDCD ）操作
• 1.8 V或2.5 V核心供电
• 1.8 V或2.5 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
•符合RoHS标准的100引脚TQFP封装
2M ×18 ， 1M ×32 ， 1M ×36
36MB同步突发静态存储器
250兆赫， 133兆赫
1.8 V或2.5 V V
DD
1.8 V或2.5 V的I / O
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
引脚（引脚14 ） DCD
流水线读
该GS8320E18 / 32 / 36T - XXXV是DCD （双循环
取消）流水线同步SRAM 。 SCD （单周期
取消）版本也可以。 DCD的SRAM管道
禁用命令以相同程度的读出命令。 DCD
RAM中保存取消命令一个完整的周期，然后
开始只是之后的第二个上升沿关闭它们的输出
的时钟。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS8320E18 / 32 / 36T - XXXV工作在1.8 V或2.5 V
电源。所有的输入都是1.8 V或2.5 V兼容。
单独的输出电源（V
DDQ
）引脚用于解耦
从内部电路和输出噪声为1.8 V或2.5 V
兼容。
功能说明
应用
该GS8320E18 / 32 / 36T - XXXV是37748736位高
性能的同步SRAM与2位猝发地址
计数器。虽然一个类型的最初开发用于第2级
缓存应用程序支持高性能的CPU ，在
设备现在发现在同步SRAM的应用
应用，从DSP总店网络芯片
集的支持。
控制
地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2， E3） ，地址脉冲串
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
3.0 3.0 3.0 3.5 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.6 7.5纳秒
285
350
6.5
6.5
205
235
265
320
7.0
7.0
195
225
245
295
7.5
7.5
185
210
220 210 185毫安
260 240 215毫安
8.0 8.5 8.5纳秒
8.0 8.5 8.5纳秒
175 165 155毫安
200 190 175毫安
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
冯： 1.03 6/2006
1/24
© 2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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