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GS8322Z72C-200 参数 Datasheet PDF下载

GS8322Z72C-200图片预览
型号: GS8322Z72C-200
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内容描述: 36MB流水线和流量通过同步NBT SRAM [36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 38 页 / 756 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS8322Z18(B/E)/GS8322Z36(B/E)/GS8322Z72(C)
119 165 & 209 BGA
商用温度
工业级温度
特点
• NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ™ , NOBL ™和
ZBT SRAM的™
• 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
•用户可配置的管道和流通过模式
• ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•带2MB, 4MB, 8MB,和16MB的设备引脚兼容
•字节写操作( 9位字节)
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准119- , 165-或209焊球BGA封装
36MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫, 133兆赫2.5
V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8322Z18 / 36/ 72可以由用户来配置的
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中,除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8322Z18 / 36/ 72与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球, 165焊球或209焊球BGA封装。
功能说明
该GS8322Z18 / 36/ 72是36Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ(x18/x36)
t
KQ(x72)
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
-250 -225 -200
2.5 2.7 3.0
3.0 3.0 3.0
4.0 4.4 5.0
285
350
440
6.5
6.5
205
235
315
-166
3.5
3.5
6.0
-150
3.8
3.8
6.7
-133单位
4.0纳秒
4.0纳秒
7.5纳秒
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
265 245 220 210 185毫安
320 295 260 240 215毫安
410 370 320 300 265毫安
7.0 7.5 8.0 8.5 8.5纳秒
7.0 7.5 8.0 8.5 8.5纳秒
195 185 175 165 155毫安
225 210 200 190 175毫安
295 265 255 240 230毫安
启: 04年11月1日
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© 2002年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。