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GS840Z36AGT-166 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GS840Z36AGT-166
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内容描述: 4MB流水线和流量通过同步NBT SRAM的 [4Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 568 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS840Z18/36AT-180/166/150/100
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• 256K ×18和128K ×36配置
•用户可配置的管道和流量通过模式
• NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率
•引脚完全兼容两种流水线和流过
NtRAM ™ , NOBL ™和ZBT SRAM的™
•有2M , 8M和16M器件引脚兼容
• 3.3 V +10 % / - 5 %,核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•字节写操作( 9位字节)
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
•时钟控制,注册地址,数据和控制
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
•无铅100引脚TQFP封装
4MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM的
180兆赫, 100兆赫
3.3 V V
DD
2.5 V和3.3 V V
DDQ
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS840Z18 / 36AT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中,除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发的输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
的边缘接入周期中触发输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS840Z18 / 36AT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
功能说明
该GS840Z18 / 36AT是4Mbit的同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
TCYCLE
t
KQ
I
DD
t
KQ
TCYCLE
I
DD
–180
5.5纳秒
3.2纳秒
335毫安
8纳秒
9.1纳秒
210毫安
–166
6.0纳秒
3.5纳秒
310毫安
8.5纳秒
10纳秒
190毫安
–150
6.6纳秒
3.8纳秒
280毫安
10纳秒
12纳秒
165毫安
–100
10纳秒
4.5纳秒
190毫安
12纳秒
15纳秒
135毫安
冯: 1.03 11/2004
1/24
© 2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。