GS840Z18/36AT-180/166/150/100
睡眠模式
在正常操作期间，ZZ必须拉低，通过用户或通过其内部的下拉电阻。当ZZ被拉高，
经过2个周期的SRAM将进入功耗休眠模式。此时， SRAM的内部状态被保存。当ZZ返回
低， SRAM 2个周期后的唤醒时间正常工作。
睡眠模式是一种低电流，其中，所述装置被取消和电流掉电模式减少到我
SB
2.所述的持续时间
睡眠模式是通过的时间长度的ZZ是高状态所决定的。进入休眠模式后，除ZZ所有输入变得
残疾人和所有输出到高阻的ZZ引脚是异步的，积极的高投入，导致设备进入睡眠模式。
当ZZ引脚驱动为高电平，我
SB
2 ，保证时间tZZI满足之后。因为ZZ是一个异步输入，以待
正在进行中的操作或操作可能不会，如果ZZ是断言正确完成。因此，睡眠模式下不能启动
直到有效的未决操作完成。同样，当tZZR在退出休眠模式，只有取消或读取命令
可当SRAM是从休眠模式中恢复应用。
睡眠模式时序图
TKH
TKC
CK
tZZR
tZZS
ZZ
tZZH
漳州灿坤
设计为兼容
GSI的NBT SRAM的为用户提供流之间的配置选择通过模式和管道模式通过FT信号
在引脚14发现并不是所有的厂商都提供这个选项，但是，大多数标记引脚14为V
DD
或V
DDQ
流水线上的零件和V
SS
在流
通过零部件。 GSI NBT SRAM是这些插槽完全兼容。
引脚66，无连接（ NC）在GSI的GS840Z18 / 36A NBT SRAM ，对GSI的GS881Z18 / 36 NBT的奇偶校验错误漏极开路输出
SRAM ，通常标示为其他厂商的NBT兼容SRAM的电源引脚。具体地讲，它被标记为V
DD
或V
DDQ
on
流水线配件和V
SS
在流过的部分。 GSI的NBT设备谁不使用真正的ByteSafe ™奇偶校验功能，用户
可能需要设计电路板网站与引脚66的RAM通过管道模式的应用程序或一个1K欧姆的电阻拉高
为了保持使用非配置的设备打开选项绑低流量通过模式的应用程序。通过使用拉
电阻器，而不是绑脚与电源轨的一个，有兴趣升级到GSI的ByteSafe NBT SRAM的用户
（ GS881Z18 / 36 ） ，具有奇偶校验错误检测和JTAG边界扫描，将准备用于连接到低电平，开
漏奇偶校验错误输出驱动器在引脚66上GSI的TQFP ByteSafe的RAM 。
冯： 1.03 11/2004
12/24
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