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GS840Z36AGT-166 参数 Datasheet PDF下载

GS840Z36AGT-166图片预览
型号: GS840Z36AGT-166
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内容描述: 4MB流水线和流量通过同步NBT SRAM的 [4Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 568 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS840Z18/36AT-180/166/150/100
功能细节
时钟
时钟的无效置到达RAM中的内部电路使能( CKE )输入块的时钟输入。它可用于
暂停RAM的操作。如果不遵守时钟使能建立或保持要求,将导致运行不稳定。
流水线模式读取和写入操作
所有输入(除输出允许,线性突发顺序和休眠)的同步时钟的上升沿。单曲循环
读取和写入操作必须使用前进/负载引脚( ADV )启动保持为低电平,以加载新的地址。设备
激活是通过确认所有三个芯片使能输入完成(E
1
, E
2,
与ê
3
) 。的使能任一项的无效
输入将停用的设备。
功能
写字节??一??
写字节“B”
写字节“C”
写字节“D”
写的所有字节
写入中止/ NOP
W
H
L
L
L
L
L
L
B
A
X
L
H
H
H
L
H
B
B
X
H
L
H
H
L
H
B
C
X
H
H
L
H
L
H
B
D
X
H
H
H
L
L
H
开始读操作时,同时满足下列条件时时钟的上升沿: CKE为低电平时,所有三个
芯片使能( E1,E2和E3 )是活动的,写使能输入信号W置为无效高电平,并且ADV被置为低电平。地址
呈现给所述地址输入锁存到地址寄存器,并提交给存储器核心和控制逻辑。控制
逻辑确定读访问过程中,允许所请求的数据传播到输出寄存器的输入端。在
时钟的下一个上升沿的读数据被允许通过输出寄存器和到输出引脚传播。
发生写操作时,所选择的RAM , CKE是积极的写输入采样为低电平,在时钟的上升沿。该
字节写使能输入(B
A
, B
B
, B
C,
和B
D
)确定哪个字节将被写入。全或无可能被激活。写周期
没有字节写入输入激活是一个空操作周期。流水线NBT SRAM提供双晚写功能,选配
写指令与数据管道长度为2个周期的读命令与数据管道长度( 2次) 。在第一次崛起
时钟的边沿,使能,写,写字节( s)和地址被注册。该数据在与该地址相关联的是需要在
时钟的第三个上升沿。
流经模式读取和写入操作
在RAM中的流通过模式的操作非常相似,在流水线模式操作。一个读周期,并使用活化
的突发地址计数器是一样的。在流模式下通过该设备可以开始新的后,立即驶出新数据
地址读入内存,而不是拿着新的数据,直到下(第二)的时钟边沿。因此,在流
通过模式读取管道比管道模式一个周期更短。
写操作开始以相同的方式为好,但不同之处在于,写入管道是一个周期更短的为好,保
把公交车从能力到读取写入不插入任何死循环。而流水线NBT RAM的实现
双晚写入协议,以流模式在单一的后期写的协议模式被观察到。因此,在通过流模式,
地址和控制被登记在时钟和数据在需要时将数据输入引脚在第二上升的第一个上升沿
时钟的边沿。
冯: 1.03 11/2004
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© 2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。