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GS84118T-133 参数 Datasheet PDF下载

GS84118T-133图片预览
型号: GS84118T-133
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内容描述: 256K ×18同步缓存标签 [256K x 18 Sync Cache Tag]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 498 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS84118T/B-166/150/133/100
TQFP , BGA
商用温度
工业级温度
特点
• 3.3 V +10 % / - 5 %,核心供电, 2.5 V或3.3 V的I / O
供应
•综合型数据比较的标签内存的应用
• FT模式引脚流过或流水线操作
• LBO引脚直线或交错(奔腾
TM
和X86 )连拍
模式
•同步地址,数据I / O和控制输入
•同步数据使能( DE )
•异步输出使能( OE )
•异步匹配输出使能( MOE)
•字节写入( BWE )和全局写( GW )的操作
•三个芯片使能轻松深度扩展信号
•内部自定时写周期
• JTAG测试模式符合IEEE标准1149.1
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装, 119 -BGA :
T: TQFP或B : BGA
-166
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
t
周期
t
KQ
I
DD
t
KQ
t
周期
I
DD
6.0纳秒
3.5纳秒
310毫安
8.5纳秒
10纳秒
190毫安
-150
6.6纳秒
3.8纳秒
275毫安
10纳秒
10纳秒
190毫安
-133
7.5纳秒
4.0纳秒
250毫安
11纳秒
15纳秒
140毫安
-100
10纳秒
4.5纳秒
190毫安
12纳秒
15纳秒
140毫安
256K ×18同步
缓存标签
166兆赫, 100兆赫
8.5 NS- 12 NS
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
提供输出寄存器和输出匹配寄存器,
通过FT模式引脚(引脚14 )控制。通过使用FT的
MODE引脚, I / O寄存器进行编程以执行流水线
或流经操作。流经模式减少
潜伏期。
通过使用字节写使能进行字节写操作
( BWE )输入结合两个单独的字节写入信号
BW1-2 。此外,全局写( GW)是供
写的所有字节一次。
比较周期开始作为一个读周期与输出禁用,因此
该比较数据可以加载到数据输入寄存器。
比较器比较的登记所读取的数据
输入数据和一个匹配信号生成的。匹配输出
可以是在管道或流过由控制模式
金融时报的信号。
低功耗(待机模式)通过的断言实现
在ZZ信号,或者通过停止时钟(CLK) 。存储器的数据是
在待机模式保持不变。
使用IEEE提供JTAG边界扫描接口
1149.1标准的协议。四个引脚,测试数据输入( TDI ) ,测试
数据输出( TDO ) ,测试时钟( TCK )和测试模式选择
(TMS)的-are用于进行JTAG的功能。
在GS84118工作在3.3 V电源和所有输入/
输出为3.3 V - 2.5 V , LVTTL兼容。另
输出(V
DDQ
)引脚用于使两个3.3 V或2.5 V IO
界面。
功能说明
该GS84118是256K ×18的高性能同步
SRAM集成标签的RAM比较。 2位爆
计数器包括提供突发接口奔腾
TM
和其它高性能的CPU。它被设计成用作
一个高速缓冲存储器标记的SRAM ,以及数据SRAM。地址,数据
iOS上,匹配输出,芯片使能( CE1 , CE2 , CE3 ) ,地址
控制输入​​( ADSP , ADSC , ADV ) ,写控制输入
( BW1 , BW2 , BWE , GW , DE)是同步的,并
由一个正沿触发时钟(CLK)控制的。
输出使能( OE ) ,匹配输出使能和电源关闭
控制( ZZ )是异步的。脉冲串可以与启动
无论是ADSP或ADSC输入。随后一阵地址
内部产生的并通过ADV控制。爆
顺序可以是交错顺序(奔腾
TM
或x86 )或
线性顺序,并且由LBO控制。
冯: 1.05 7/2001
1/30
* Pentium是英特尔公司的商标。
©1999 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
商标公告(如果有的话)千兆半导体公司( GSI技术)的商标。