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GS8640Z18T-167 参数 Datasheet PDF下载

GS8640Z18T-167图片预览
型号: GS8640Z18T-167
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内容描述: 72MB流水线和流量通过同步NBT SRAM [72Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 1035 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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产品预览
GS8640Z18/36T-300/250/200/167
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ™ , NOBL ™和
ZBT SRAM的™
• 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
•用户可配置的管道和流通过模式
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•引脚具备4MB , 9MB , 18MB和36MB的设备兼容
•字节写操作( 9位字节)
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
•符合RoHS标准的100引脚TQFP封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
300兆赫, 167兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8640Z18 / 36T可以通过操作该用户被配置
在管道或流通过模式。操作为流水线
同步装置,也就是说,除了上升沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发的输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
的边缘接入周期中触发输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8640Z18 / 36T与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
功能说明
该GS8640Z18 / 36T是一个72Mbit的同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-300
2.3
3.3
400
480
5.5
5.5
285
330
-250
2.5
4.0
340
410
6.5
6.5
245
280
-200
3.0
5.0
290
350
7.5
7.5
220
250
-167
3.5
6.0
260
305
8.0
8.0
210
240
单位
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
*所有GSI技术包至少5/6符合RoHS标准。
随着更多的“G”标志上市软件包6/6符合RoHS标准。
冯: 1.01 1/2006
1/25
© 2004年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。