初步
GS88018/32/36T-11/11.5/100/80/66
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• FT引脚用户可配置的过流或流水线
手术
•单周期取消（ SCD ）的操作
• 3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•默认为交错流水线模式
•字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
•常见的数据输入和数据输出
•时钟控制，注册地址，数据和控制
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• 100引脚TQFP封装
-11
-11.5
-100
-80
-66
10纳秒
10 ns的12.5纳秒15纳秒
t周期为10ns
4.0纳秒4.0纳秒4.0纳秒4.5纳秒
5纳秒
t
KQ
I
DD
225毫安225毫安225毫安200毫安185毫安
11 ns的11.5纳秒12纳秒
14纳秒
18纳秒
t
KQ
15纳秒
15纳秒
15纳秒
20纳秒
时钟周期内完成15纳秒
I
DD
180毫安180毫安180毫安175毫安165毫安
512K ×18 ， 256K ×32 ， 256K ×36
8MB同步突发静态存储器
流经/管道读取
100兆赫， 66兆赫
3.3 V V
DD
3.3 V和2.5 V的I / O
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户（引脚14 ） 。抱着FT模式
引脚为低电平时， RAM的流量通过模式，导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式，激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS88018 / 32 / 36T是SCD （单循环取消）
流水线同步SRAM 。 DCD （双循环取消）
版本也可以。 SCD的SRAM管线取消
命令一期比读取命令少。 SCD的RAM
开始取消选择后，立即关闭其输出
命令已被捕获在所述输入寄存器。
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
功能说明
应用
该GS88018 / 32 / 36T是9437184位（ 8,388,608位的X32
版本）的高性能同步SRAM与一个2位的
爆地址计数器。虽然一个类型的最初开发
对于二级缓存的应用程序支持高性能
的CPU ，该装置现在发现在同步SRAM的应用
应用，从DSP总店网络芯片
集的支持。
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS88018 / 32 / 36T工作在3.3 V电源和所有
输入/输出3.3 V - 2.5 V兼容。另
输出功率（V
DDQ
）引脚用于去耦输出噪声
从内部电路。
控制
地址，数据I / O的芯片使能（ E1，E2， E3） ，地址脉冲串
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
冯： 1.11 8/2000
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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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