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GS880Z36BGT-200 参数 Datasheet PDF下载

GS880Z36BGT-200图片预览
型号: GS880Z36BGT-200
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内容描述: 9MB流水线和流量通过同步NBT SRAM [9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 594 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS880Z18/36BT-333/300/250/200/150
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ™ , NOBL ™和
ZBT SRAM的™
• 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
•用户可配置的管道和流通过模式
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•引脚与2M , 4M , 18M和设备兼容
•字节写操作( 9位字节)
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
•无铅100引脚TQFP封装
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
333兆赫, 150兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS880Z18 / 36BT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置,也就是说,除了
上升沿触发寄存器捕获输入信号,
器件集成了一个上升沿触发输出寄存器。为
读周期,流水线SRAM的输出数据暂时存储
由边缘触发的输出寄存器的访问周期中
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS880Z18 / 36BT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
功能说明
该GS880Z18 / 36BT是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
-333
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR ( X18 )
币种( X32 / X36 )
t
KQ
TCYCLE
CURR ( X18 )
币种( X32 / X36 )
2.5
3.0
250
290
4.5
4.5
200
230
中参数简介
-300
2.5
3.3
230
265
5.0
5.0
185
210
-250
2.5
4.0
200
230
5.5
5.5
160
185
-200
3.0
5.0
170
195
6.5
6.5
140
160
-150
3.8
6.7
140
160
7.5
7.5
128
145
单位
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
流经
2-1-1-1
冯: 1.02 10/2004
1/24
© 2001年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。