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GS88018AT-200I 参数 Datasheet PDF下载

GS88018AT-200I图片预览
型号: GS88018AT-200I
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内容描述: 512K ×18 , 256K ×32 , 256K ×36 9MB同步突发静态存储器 [512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 26 页 / 734 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS88018/32/36AT-250/225/200/166/150/133
电源电压范围
参数
3.3 V电源电压
2.5 V电源电压
3.3 V V
DDQ
I / O电源电压
2.5 V V
DDQ
I / O电源电压
符号
V
DD3
V
DD2
V
DDQ3
V
DDQ2
分钟。
3.0
2.3
3.0
2.3
典型值。
3.3
2.5
3.3
2.5
马克斯。
3.6
2.7
3.6
2.7
单位
V
V
V
V
笔记
注意事项:
1.工业温度范围版本的部件号结束字符“ I” 。除非另有说明,所有报价性能规格
评价为最坏的情况在标记设备上的温度范围。
2.输入欠压/过冲电压必须
–2
V >六< V
DDN
2 V不超过4.6 V(最大值) ,用脉冲宽度不超过20 % TKC 。
V
DDQ3
系列逻辑电平
参数
V
DD
输入高电压
V
DD
输入低电压
V
DDQ
I / O输入高电压
V
DDQ
I / O输入低电压
符号
V
IH
V
IL
V
IHQ
V
ILQ
分钟。
2.0
–0.3
2.0
–0.3
典型值。
马克斯。
V
DD
+ 0.3
0.8
V
DDQ
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
1
1
1,3
1,3
注意事项:
1.工业温度范围版本的部件号结束字符“ I” 。除非另有说明,所有报价性能规格
评价为最坏的情况在标记设备上的温度范围。
2.输入欠压/过冲电压必须
–2
V >六< V
DDN
2 V不超过4.6 V(最大值) ,用脉冲宽度不超过20 % TKC 。
3. V
IHQ
(max)是电压V
DDQ
销加0.3 V.
V
DDQ2
系列逻辑电平
参数
V
DD
输入高电压
V
DD
输入低电压
V
DDQ
I / O输入高电压
V
DDQ
I / O输入低电压
符号
V
IH
V
IL
V
IHQ
V
ILQ
分钟。
0.6*V
DD
–0.3
0.6*V
DD
–0.3
典型值。
马克斯。
V
DD
+ 0.3
0.3*V
DD
V
DDQ
+ 0.3
0.3*V
DD
单位
V
V
V
V
笔记
1
1
1,3
1,3
注意事项:
1.工业温度范围版本的部件号结束字符“ I” 。除非另有说明,所有报价性能规格
评价为最坏的情况在标记设备上的温度范围。
2.输入欠压/过冲电压必须
–2
V >六< V
DDN
2 V不超过4.6 V(最大值) ,用脉冲宽度不超过20 % TKC 。
3. V
IHQ
(max)是电压V
DDQ
销加0.3 V.
冯: 1.02 9/2002
12/26
©2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。