GS88118A(T/D)/GS88132A(D)/GS88136A(T/D)
100引脚TQFP & 165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
• 2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准封装
512K ×18 ， 256K ×36
9MB同步突发静态存储器
250兆赫， 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
流经/管道读取
的数据输出寄存器的功能可以通过控制
通过FT模式引脚用户（引脚14 ） 。抱着FT模式
引脚为低电平时， RAM的流量通过模式，导致
输出数据绕过数据输出寄存器。控股FT
高处的RAM中的管道模式，激活rising-
边沿触发数据输出寄存器。
SCD流水线读
该GS88118 / 36AT / D是SCD （单循环取消）
流水线同步SRAM 。 DCD （双循环取消）
版本也可以。 SCD的SRAM管线取消
命令一期比读取命令少。 SCD的RAM
开始取消选择后，立即关闭其输出
命令已被捕获在所述输入寄存器。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS88118 / 36AT / D工作在2.5 V或3.3 V电源
供应量。所有的输入都是3.3 V和2.5 V兼容。另
输出功率（V
DDQ
）引脚用于去耦输出噪声
从内部电路和分别为3.3 V和2.5 V兼容。
功能说明
应用
该GS88118 / 36AT / D是9437184位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用，所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，
从DSP总店联网芯片组的支持。
控制
地址，数据I / O的芯片使能（E1，E2 ） ，地址脉冲串
控制输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ）和写控制输入
（ Bx的，BW ， GW）是同步的，并通过一个控制
正边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）
和断电控制（ ZZ ）是异步输入。爆
周期可以与任何ADSP ADSC或输入来启动。在
连拍模式下，会产生后续的突发地址
在内部，并通过ADV控制。突发地址
计数器可以被配置成在计算的线性或
交错为了与线性突发顺序（ LBO ）的输入。该
突发功能不需要使用。新的地址可以被装载
在每一个周期用的芯片性能不劣化。
参数简介
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR （ X18 ） 280
CURR （ X36 ） 330
t
KQ
TCYCLE
5.5
5.5
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5 2.7 3.0 3.4 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.7 7.5纳秒
255
300
6.0
6.0
165
190
230
270
6.5
6.5
160
180
200
230
7.0
7.0
150
170
185 165
215 190
7.5
7.5
8.5
8.5
mA
mA
ns
ns
mA
mA
溢流
通过
2-1-1-1
CURR （ X18 ） 175
CURR （ X36 ） 200
145 135
165 150
冯： 1.04 3/2005
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© 2001年， GSI技术
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