初步
GS881Z18/36T-11/100/80/66
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
• 512K ×18和256K ×36配置
•用户可配置流水线和流量通过模式
• NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
•读 - 写 - 读总线利用率
•完全引脚兼容，既流水线和流过
NtRAM ™ ， NOBL ™和ZBT SRAM的™
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
•片上写入奇偶校验;偶数或奇数可选择
•用2M ， 4M和16M器件引脚兼容
• 3.3 V +10 ％ / - 5 ％，核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•字节写操作（ 9位字节）
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
•时钟控制，注册地址，数据和控制
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准的100引脚TQFP封装
8MB流水线和流量通过
100兆赫， 66兆赫
3.3 V V
DD
同步NBT SRAM的
2.5 V和3.3 V V
DDQ
功能说明
该GS881Z18 / 36T是一个8Mbit的同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS881Z18 / 36T可以通过操作该用户被配置
在管道或流通过模式。操作为流水线
同步装置中，除了上升沿触发
注册了捕获输入信号，该设备采用了
上升沿触发的输出寄存器。对于读周期，流水线
SRAM的输出数据由边沿触发临时存储
在访问周期内输出寄存器，然后被释放到
输出驱动器，时钟的下一个上升沿。
该GS881Z18 / 36T与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
-11
管道
3-1-1-1
流经
2-1-1-1
t
周期
t
KQ
I
DD
t
KQ
t
周期
I
DD
10纳秒
4.5纳秒
210毫安
11纳秒
15纳秒
150毫安
-100
10纳秒
4.5纳秒
210毫安
12纳秒
15纳秒
150毫安
-80
12.5纳秒
4.8纳秒
190毫安
14纳秒
15纳秒
130毫安
-66
15纳秒
5纳秒
170毫安
18纳秒
20纳秒
130毫安
流经流水线和NBT SRAM返回到回读/写周期
时钟
地址
读/写
A
R
B
W
Q
A
C
R
D
B
Q
A
1/34
D
W
Q
C
D
B
E
R
D
D
Q
C
F
W
Q
E
D
D
Q
E
流经
数据I / O
流水线
数据I / O
冯： 1.10 8/2000
©1998 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
NOBL是赛普拉斯半导体公司的商标.. NtRAM是三星电子有限公司的注册商标.. ZBT是集成设备技术公司的商标。
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