GS88237BB/D-333/300/250/200
119- & 165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
•单/双循环取消选择
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
• ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
• 2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
• 2.5 V或3.3 V的I / O供电
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•在模式引脚内部输入电阻允许浮动模式引脚
•默认为SCD X18 / X36交错管道模式
•字节写（ BW）和/或全局写（ GW ）的操作
•内部自定时写周期
•用于便携式应用的自动断电
• JEDEC标准的119焊球和165焊球BGA封装
•无铅119焊球和165焊球BGA封装提供
256K ×36
SCD 9MB / DCD同步突发SRAM
333兆赫， 200兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
SCD和DCD流水线读
该GS88237BB / D是SCD （单循环取消）和
DCD （双循环取消）流水线同步SRAM 。
DCD的SRAM管道禁用命令到相同的程度
作为读取命令。 SCD的SRAM管道命令取消
一期少于读取命令。 SCD的RAM开始转向
关闭其输出的取消命令后，立即
被捕获的输入寄存器。 DCD的RAM举行
取消命令为一个完整周期，然后开始关闭
它们的输出只是后时钟的第二个上升沿。用户
使用可配置此SRAM运行的任一模式
在SCD模输入。
字节写和全局写
通过使用字节写使能进行字节写操作
（BW）的输入与一个或多个单独的字节的写
信号（ Bx的） 。此外，全局写（ GW）是供
写的字节写入所有字节在同一时间，不管
控制输入。
FLXDrive ™
该ZQ引脚允许较高的驱动力之间选择（ ZQ
低）的多点总线的应用程序和正常的驱动力
（ ZQ浮动或高）点至点应用。见
输出驱动器特性图表的详细信息。
睡眠模式
低功耗（休眠模式）通过断言实现
（高）的ZZ的信号，或通过停止时钟（CK） 。
在休眠模式下的内存数据将被保留。
核心和接口电压
该GS88237BB / D工作在2.5 V或3.3 V电源。
所有的输入都是3.3 V和2.5 V兼容。单独的输出
电源（V
DDQ
）引脚用于脱钩的输出噪声
内部电路和分别为3.3 V和2.5 V兼容。
功能说明
应用
该GS88237BB / D是9437184位高性能
同步SRAM与一个2位的猝发地址计数器。
虽然类型的最初开发的2级缓存
支持高性能的CPU的应用，所述设备
现在发现应用程序中同步SRAM的应用程序，
从DSP总店联网芯片组的支持。
控制
地址，数据的I / O ，芯片使能（ E1 ） ，地址突发控制
输入（ ADSP ， ADSC ， ADV ） ，写控制输入（ BX，
体重， GW）是同步的，并通过将正被控制
边沿触发的时钟输入端（ CK） 。输出使能（ G）和电源
降控制（ ZZ ）是异步输入。突发周期可以
可与任何ADSP或ADSC输入启动。在连拍模式下，
在内部产生，并随后爆地址
由ADV控制。猝发地址计数器可以是
构造来计数的线性或交织顺序与
线性突发顺序（ LBO ）的输入。连拍功能不需要
被使用。新的地址可以在每个周期装载不
退化的芯片性能。
参数简介
管道
3-1-1-1
3.3 V
2.5 V
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x36)
CURR
(x36)
-333
2.0
3.0
435
435
-300
2.2
3.3
395
395
-250
2.3
4.0
330
330
-200单位
2.7
ns
5.0
ns
270
270
mA
mA
冯： 1.04 3/2005
1/29
© 2002年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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