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GS882ZV36BB-300 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GS882ZV36BB-300
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内容描述: 9MB流水线和流量通过同步NBT SRAM [9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 33 页 / 885 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS882ZV18/36BB/D-333/300/250/200
119焊球和165焊球BGA
商用温度
工业级温度
特点
• NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ™ , NOBL ™和
ZBT SRAM的™
• 1.8 V +10 % / - 10 %,核心供电
• 1.8 V的I / O供电
•用户可配置的管道和流通过模式
• ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
• IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
•片奇偶校验编码和错误检测
• LBO引脚的直线或交错突发模式
•用2M , 4M , 18M和器件引脚兼容
•字节写操作( 9位字节)
• 3芯片使能轻松深度扩展信号
• ZZ引脚自动断电
• JEDEC标准的119焊球BGA和165焊球FPBGA
套餐
•无铅119焊球和165焊球BGA封装提供
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
333兆赫, 200兆赫
1.8 V V
DD
1.8 V的I / O
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS882ZV18 / 36B可由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中,除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号,该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期,流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS882ZV18 / 36B与GSI的实现高
性能CMOS技术和可在JEDEC-
标准的119焊球BGA和165焊球FPBGA封装。
功能说明
该GS882ZV18 / 36B是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
中参数简介
-333
-300
2.5
3.3
225
250
5.0
5.0
180
200
-250
2.5
4.0
195
220
5.5
5.5
155
175
-200
3.0
5.0
165
185
6.5
6.5
140
155
单位
ns
ns
mA
mA
ns
ns
mA
mA
管道
3-1-1-1
t
KQ
TCYCLE
CURR ( X18 )
币种( X32 / X36 )
t
KQ
TCYCLE
CURR ( X18 )
币种( X32 / X36 )
2.5
3.0
245
275
4.5
4.5
195
220
流经
2-1-1-1
冯: 1.03 3/2005
1/33
© 2004年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
NOBL是赛普拉斯半导体公司的商标.. NtRAM是三星电子有限公司的注册商标.. ZBT是集成设备技术公司的商标。