桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
2SK3018
SOT-23
場效應晶體管(SOT-23
Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N
沟道增强型
MOS
场效应管
■
MAXIMUM
RATINGS
最大額定值
Symbol
符號
BV
DSS
V
GS
I
DR
I
DRM
Max
最大值
35
+20
100
400
Unit
單�½�
V
V
mA
mA
Characteristic
特性參數
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性
Total Device Dissipation
�½耗散功率
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
Symbol
符號
P
D
Max
最大值
200
1.8
Unit
單�½�
mW
mW/℃
℃/W
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
417
150℃,-55to+150℃
GSME [ GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD. ]
