GM2321 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GM2321
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内容描述：	P沟道增强型MOS场效应管 [P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 299 K
品牌：	GSME [ GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD. ]

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

GM2321

SOT-23

場效應晶體管(SOT-23

Field Effect Transistors)

P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

沟道增强型

MOS

场效应管

■

MAXIMUM

RATINGS

最大額定值

Symbol

符號

DSS

Max

最大值

-20

+10

-2.8

-10

Unit

單�½�

Characteristic

特性參數

Drain-Source Voltage

漏極-源極電壓

Gate- Source Voltage

栅極-源極電壓

Drain Current (continuous)

漏極電流-連續

Drain Current (pulsed)

漏極電流-脉冲

Total Device Dissipation

�½耗散功率

25℃環境溫度爲 25℃

Junction

結溫

Storage Temperature

儲存溫度

550

stg

150

-55to+150

℃

■

DEVICE

MARKING

打標

2321

GM2321=

GM2321=A1

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