桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS70
SCHOTTKY DIODE
肖特基二極管
(BAS70)
(BAS70
S70)
▉
FEATURES
特點
Characteristic
特性參數
Power dissipation
耗散功率
Forward Current
正向電流
Reverse Voltage
反向電壓
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
▉
DEVICE MARKING
打標
BAS70
BAS70=BE
S70=
▉
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
Symbol
符號
P
D
(Ta=25
℃
)
I
F
V
R
T
J
,
T
stg
Max
最大值
225
70
70
Unit
單�½�
mW
mA
V
-55to+150
℃
)
(T
A
=
25
℃
unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25℃)
Characteristic
特性參數
Reverse Breakdown Voltage
反向擊穿電壓
(IR=10uA)
Reverse Leakage Current
反向漏電流
(VR=50V)
(VR=70V)
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
I
F
= 1mAdc
I
F
= 10mAdc
I
F
= 15mAdc
Diode Capacitance
二極體電容
(V
R
=1V, f=1MHz)
Reverse Recovery Time
反向恢復時間
▉
SOT-23
内部结构
1
Symbol
符號
V
(BR)
I
R
Min
最小值
70
—
Max
最大值
—
0.1
10
410
750
1000
2
5
Unit
單�½�
V
uA
V
F
—
C
D
Trr
mV
—
—
pF
nS
GSME [ GUILIN STRONG MICRO-ELECTRONICS CO., LTD. ]
