G1332E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G1332E
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 263 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年3月10日

修改日期： 2006/11 / 24C

G1332E

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

600m

600mA

描述

该G1332E提供了设计者的导通电阻和最佳快速切换的组合，低

成本效益。

*简单的栅极驱动器

*小包装外形

* 2KV ESD额定值（每MIL -STD- 883D ）

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

0°

10°

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

±5

600

470

2.5

1.0

0.008

-55 ~ +150

价值

125

单位

W/ :

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

G1332E

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