G2302 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G2302
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 367 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2004/07/06

修改日期： 2005/ 03 / 14B

G2302

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

85m

3.2A

该G2302提供了设计者的导通电阻和最佳快速切换的组合，低

成本效益。

描述

*有能力2.5V栅极驱动

*小包装外形

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

10 C

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@4.5V

连续漏电流

, V

@4.5V

漏电流脉冲

1,2

功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

f 12

3.2

2.6

1.38

0.01

-55 ~ +150

评级

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

单位

1/4

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