无铅电镀产品
公司
G2305
P沟道增强型功率MOSFET
颁发日期： 2004年10月12日
修改日期： 2005/ 03 / 22B
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-20V
65m
-4.2A
该G2305提供了设计师与快速切换的最佳组合，低导通电阻和
成本效益。
该G2305普遍首选的所有商业工业表面贴装应用，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
描述
特点
＆放大器;
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
应用
＆放大器;
在笔记本电脑的电源管理
&Portable设备
&Battery动力系统。
&Reliable和坚固
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0C
10 C
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ ， TSTG
符号
Rthj -A
评级
-20
f 12
-4.2
-3.4
-10
1.38
0.01
-55 ~ +150
评级
90
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
单位
/W
1/4
GTM [ GTM CORPORATION ]
