无铅电镀产品
颁发日期: 2006/01/16
修订日期:
G2308E
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
600m
1.2A
描述
该G2308E采用先进的加工技术,以实现尽可能低的导通电阻,极
效率和成本效益的设备。
采用SOT - 23封装,普遍适用于所有商业工业应用。
*有能力2.5V栅极驱动
*低导通电阻
* 2KV ESD能力
特点
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@4.5V
3
连续漏电流, V
GS
@4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
符号
Rthj -A
评级
20
±6
1.2
1.0
5
1.38
0.01
-55 ~ +150
评级
90
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
1/4