G2314 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G2314
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 364 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005年5月16日

修订日期：

G2314

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

20V

75m

3.5A

在G2314采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极

效率和成本效益的设备。

该G2314是普遍适用于所有商业工业应用。

描述

*有能力2.5V栅极驱动

*低导通电阻

特点

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.70

3.10

2.40

2.80

1.40

1.60

0.35

0.50

0.10

0.45

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

10 C

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

, V

@4.5V

连续漏电流

, V

@4.5V

漏电流脉冲

1,2

功耗

线性降额因子

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=70 :

=25 :

TJ ， TSTG

符号

Rthj -A

评级

f 12

3.5

2.8

1.38

0.01

-55 ~ +150

评级

单位

热数据

参数

热阻结到环境

马克斯。

单位

1/4

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