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G2N5551 参数 Datasheet PDF下载

G2N5551图片预览
型号: G2N5551
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 152 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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公司
G2N5551
描述
特点
NP否E PITAX我AL平面牛逼RANSI STOR
颁发日期: 2004年6月9日
修改日期: 2004/11 / 29B
该G2N5551是专为通用开关和放大器应用。
*补充到PNP型G2N5401
*高集电极 - 发射极击穿电压(V
首席执行官
> 160V ( @I
C
=1mA)
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
REF 。
L
e1
e
b
C
A
S
1
b
b
1
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
评级
+150
-55 ~ +150
180
160
6
600
625
马克斯。
-
-
-
50
50
0.15
0.2
1
1
-
400
-
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
I
C
= 100uA的,我
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= 120V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz时,我
E
=0
*
脉冲测试:脉冲宽度380us ,占空比
2%
单位
V
V
V
mA
mW
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(sat)1
*V
CE
(sat)2
*V
BE
(sat)1
*V
BE
(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
-
-
兆赫
pF
分类h及
FE
2
范围
A
80-200
N
100-250
C
160-400
G2N5551
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