无铅电镀产品
颁发日期: 2005/07/05
修订日期:
G2U4407
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
14m
-50A
该G2U4407提供设计师与快速切换,坚固耐用的设备设计,低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
在TO- 262封装普遍首选的所有商业工业应用和适合于低
电压应用,如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
b
c
D
E
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.80
0.76
1.00
0.36
0.50
8.60
9.00
9.80
10.4
REF 。
c2
b2
L
e
L2
毫米
分钟。
马克斯。
1.25
1.45
1.17
1.47
13.25
14.25
2.54 REF 。
1.27 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ , TSTG
评级
-30
f 25
-50
-32
-180
54
0.4
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
价值
2.3
62
单位
/W
/W
G2U4407
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