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G301K 参数 Datasheet PDF下载

G301K图片预览
型号: G301K
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 296 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2006/01/19
修订日期:
G301K
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
1
640mA
该G301K利用先进的加工技术,以实现尽可能低的导通电阻,极
效率和成本效益的设备。
该G301K普遍适用于所有商业工业应用。
描述
特点
*简单的驱动要求
*小包装外形
*符合RoHS
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
10°
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@10V
3
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1,2
功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25 :
I
D
@T
A
=70 :
I
DM
P
D
@T
A
=25 :
TJ , TSTG
符号
Rthj -A
评级
30
±16
640
500
950
1.38
0.01
-55 ~ +150
价值
90
单位
V
V
mA
mA
mA
W
W/ :
:
单位
:
/W
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
G301K
页次: 1/4