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G8051 参数 Datasheet PDF下载

G8051图片预览
型号: G8051
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 141 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
 浏览型号G8051的Datasheet PDF文件第2页  
公司
G8051
描述
特点
N P N ê P ITAX IA L T R一种S是T O服务ř
颁发日期: 2004年12月27日
修订日期:
在G8051是专为在便携式无线电设备中的B类推挽操作2W输出放大器使用。
*高集电极电流( IC : 1.5A )
*为了配合G8551
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
毫米
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
分钟。
4.45
1.02
0.36
0.36
0.36
马克斯。
4.7
-
0.51
0.76
0.51
L
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42
2.66
e1
e
b
C
绝对最大额定值
( TA = 25 :
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
目前收集
基极电流
结温
存储温度范围
总功耗
中,除非另有规定)
符号
评级
V
CBO
40
V
首席执行官
25
V
EBO
6
I
C
1.5
I
B
0.5
Tj
+150
Ts
TG
-55 ~ +150
P
D
1
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性
( TA = 25 :
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
COB
分钟。
40
25
6
-
-
-
-
-
45
120
40
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
中,除非另有规定)
马克斯。
单位
-
V
-
V
-
V
100
nA
100
nA
0.5
V
1.2
V
1
V
-
500
-
-
兆赫
-
pF
测试条件
I
C
=100uA
I
C
=2mA
I
E
=100uA
V
CB
=35V
V
BE
=6V
l
C
= 800毫安,我
B
=80mA
l
C
= 800毫安,我
B
=80mA
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=5mA
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CE
= 1V ,我
C
=800mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
380 S,占空比
2%
*脉冲测试:脉冲宽度
分类h及
FE
1
范围
C
120 ~ 200
D
160 ~ 320
E
250 ~ 500
G8051
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