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G9015 参数 Datasheet PDF下载

G9015图片预览
型号: G9015
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 201 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2004年11月18日
修订日期:
G9015
描述
P N P·E PI TA XI A L PL AN A R牛逼RA ñ SI STO ř
T
他G9015是专为在前置放大器的低级别和低噪声应用。
包装尺寸
D
E
S1
TO-92
A
b1
性S E为T G中
飞机
L
REF 。
A
S
1
b
b
1
C
e1
e
b
C
毫米
分钟。
马克斯。
4.45
4.7
1.02
-
0.36
0.51
0.36
0.76
0.36
0.51
REF 。
D
E
L
e1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.44
4.7
3.30
3.81
12.70
-
1.150
1.390
2.42
2.66
在Ta绝对最大额定值= 25 :
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55 ~ +150
-50
-45
-5
-100
450
V
V
V
mA
mW
单位
特征
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
VBE (ON)的
*的hFE
fT
COB
在TA = 25 :
分钟。
-50
-45
-5
-
-
-
-
-0.6
100
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-0.20
-0.82
-0.65
200
190
4.5
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-0.7
-1.0
-0.75
600
-
7
兆赫
pF
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
IC = -100uA , IE = 0
IC = -1mA , IB = 0
IE = -100uA , IC = 0
VCB = -50V , IE = 0
VEB = -5V , IC = 0
IC = -100mA , IB = -5mA
IC = -100mA , IB = -5mA
VCE = -5V , IC = -2mA
VCE = -5V , IC = -1mA
VCE = -5V , IC = -10mA
VCB = -10V , F = 1MHz的
测试条件
*脉冲测试:脉冲宽度380us ,占空比2 %
分类的hFE的
的hFE
B
100 - 300
C
200 - 600
1/3