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GBAS70 参数 Datasheet PDF下载

GBAS70图片预览
型号: GBAS70
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内容描述: 表面贴装肖特基二极管 [SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 178 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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公司
G B AS70 / A / C / S
描述
颁发日期: 2003年4月10日
修改日期: 2005/12 / 28B
表面贴装, SCHOTTKYBARRIERDIODE
V Ø LT A G é 7 0 V ,C ü R R简T 7 0米一
这些肖特基势垒二极管被设计用于高速开关应用中,电路保护和
电压钳位。极低的正向电压降低传导损耗。微型表面贴装封装
优秀的手持和便携式应用中,空间是有限的。
包装尺寸
REF 。
A
B
C
D
E
F
分钟。
2.70
2.40
1.40
0.35
0
0.45
毫米
马克斯。
3.10
2.80
1.60
0.50
0.10
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
10°
毫米
在T绝对最大额定值
A
= 25 :
参数
工作结温
储存温度
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
非重复峰值正向浪涌电流@ TP
热阻结到环境空气
总功耗
1.0s
符号
Tj
TSTG
V
RRM
Io
I
FSM
R
JA
评级
+125
-65 ~ +125
70
70
100
445
225
单位
:
:
V
mA
mA
:
/W
mW
PD
电气特性
(在T
A
= 25 :除非另有说明)
参数
反向击穿电压
正向电压
符号
V
( BR )R
V
F
分钟。
70
-
-
-
反向漏电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
T
rr
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
410
750
1000
100
10
2.0
5.0
nA
uA
pF
ns
mV
单位
V
I
R
=10 A
I
F
1=1mA
I
F
1=10mA
I
F
2=15mA
V
R
1=50V
V
R
2=70V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I
F
=I
R
= 10毫安,R
L
= 100 , IRR = 1毫安
测试条件
GBAS70/A/C/S
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