GBAT54 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GBAT54
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内容描述：	硅肖特基二极管双。 [Silicon Schottky Barrier Double Diodes .]
分类和应用：	肖特基二极管
文件页数/大小：	2 页 / 224 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

G B AT 5 4 / A / C / S

描述

硅肖特基二极管双。

1/2

包装尺寸

REF 。

分钟。

2.70

2.40

1.40

0.35

0.45

毫米

马克斯。

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.90 REF 。

1.00

1.30

0.10

0.20

0.40

0.85

1.15

10 C

类型：Pin 1.Anode 2.Cathode 3.Common连接

符号

TSTG

评级

+125

-65 ~ +125

200

300

600

230

单位

绝对最大额定值

参数

结温

储存温度

反向重复峰值电压

正向连续电流

重复峰值正向电流

正向电流浪涌

在Ta总功耗= 25 ：

特征

在TA = 25 ：

符号

V（ BR ）R

VF(1)

VF(2)

民

马克斯。

240

320

400

500

1000

2.0

单位

IR=10uA

IF=0.1mA

IF=1mA

IF=10mA

IF=30mA

IF=100mA

VR=25V

VR = 1V ， F = 1MHz的

IF = IR = 10毫安，RL = 100微升在IR = 1毫安测

测试条件

反向击穿电压

正向电压

VF(3)

VF(4)

VF(5)

TRR

反向电流

总电容

反向恢复时间

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