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GDMBZ5221B 参数 Datasheet PDF下载

GDMBZ5221B图片预览
型号: GDMBZ5221B
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内容描述: 齐纳二极管 [ZENER DIODES]
分类和应用: 二极管齐纳二极管
文件页数/大小: 9 页 / 808 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2004年11月15日
修订日期:
GDMBZ5221B~GDMBZ5270B
描述
齐纳二极管
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.85
1.05
0
0.10
0.80
1.00
1.15
1.45
1.60
1.80
2.30
2.70
REF 。
L
b
c
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.20
0.25
0.10
0.40
0.40
0.18
0.15 BSC 。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
TA = 25 ' ,减免上述25'
器件总功耗
氧化铝基板** TA = 25 ' ,减免上述25'
热阻结到环境
结温和存储温度
* FR - 5 - 1.0 0.75 0.062 **氧化铝0.4 0.3
符号
PD
PD
RJ-A
TJ , TSTG
0.024英寸99.5 %的氧化铝。
最大
225
1.8
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ º
mW
毫瓦/ º
‘ /W
热特性
(V
F
= 0.9V最大@
I
F
= 10毫安所有类型。 )
设备
GDMBZ5221B
GDMBZ5222B
GDMBZ5223B
GDMBZ5224B
GDMBZ5225B
GDMBZ5226B
GDMBZ5227B
GDMBZ5228B
GDMBZ5229B
GDMBZ5230B
GDMBZ5231B
GDMBZ5232B
GDMBZ5233B
GDMBZ5234B
GDMBZ5235B
GDMBZ5236B
GDMBZ5237B
GDMBZ5238B
GDMBZ5239B
GDMBZ5240B
记号
CODE
1A
1B
1C
1D
1E
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
TEST
当前
IZT (毫安)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
2.280
2.375
2.565
2.660
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.700
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
齐纳电压
VZ (V)的
公称
最大
2.4
2.520
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
2.625
2.835
2.940
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.300
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.500
ZZK
IZ=0.25mA
=最大
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
ZZT
IZ = IZT
=最大
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
17
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
马克斯。反向
当前
IR( UA)的
@VR ( V)
100
1.0
100
75
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
1/9