无铅电镀产品
颁发日期： 2005年8月30日
修订日期：
GE9973
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
60V
80m
14A
该GE9973提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用和适合于低
电压应用，如DC / DC转换器。
*简单的驱动要求
*低栅极电荷
描述
特点
包装尺寸
REF 。
A
b
c
D
E
L4
L5
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.80
0.76
1.00
0.36
0.50
8.60
9.00
9.80
10.4
14.7
15.3
6.20
6.60
REF 。
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
毫米
分钟。
马克斯。
1.25
1.45
1.17
1.47
13.25
14.25
2.54 REF 。
2.60
2.89
3.71
3.96
2.60
2.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
TJ ， TSTG
评级
60
f 20
14
9
40
27
0.22
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
4.5
62
单位
/W
/W
GE9973
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GTM [ GTM CORPORATION ]
