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    GESD880 参数 Datasheet PDF下载

    GESD880图片预览
    型号： GESD880
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 149 K
    品牌： GTM [ GTM CORPORATION ]
     浏览型号GESD880的Datasheet PDF文件第2页  
    颁发日期： 2005/12/12
    修订日期：
    GESD880
    描述
    NPN外延平面晶体管
    该GESD880是专为音频功率放大器的应用。
    特点
    ＆放大器;
    直流电流增益：H
    FE
    = 300 （最大） @ V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 0.5A
    高
    ＆放大器;
    低
    饱和电压： V
    CE （SAT）
    = 1.0V （最大值） @我
    C
    = 3A ，我
    B
    = 0.3A
    包装尺寸
    REF 。
    A
    b
    c
    D
    E
    L4
    L5
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.80
    0.76
    1.00
    0.36
    0.50
    8.60
    9.00
    9.80
    10.4
    14.7
    15.3
    6.20
    6.60
    REF 。
    c1
    b1
    L
    e
    L1
    Ø
    A1
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.25
    1.45
    1.17
    1.47
    13.25
    14.25
    2.54 REF 。
    2.60
    2.89
    3.71
    3.96
    2.60
    2.80
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25 : )
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率（T
    A
    =25 : )
    集电极耗散功率（T
    C
    =25 : )
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    P
    D
    T
    J
    T
    英镑
    评级
    80
    62
    7
    3
    1.5
    25
    150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    W
    :
    :
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ：除非另有说明）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE （ SAT ）
    *V
    BE（上）
    *h
    FE
    fT
    COB
    分钟。
    80
    62
    7
    -
    -
    -
    -
    -
    60
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8
    40
    马克斯。
    -
    -
    -
    10
    10
    1.0
    1.5
    1.0
    300
    -
    -
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    uA
    uA
    V
    V
    V
    I
    C
    = 100uA的，我
    E
    =0
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =0
    I
    E
    = 100uA的，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 80V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 7V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =0.3A
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =0.2A
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =0.5A
    V
    CE
    = 5V ，我
    E
    =-0.5A
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度
    380 S，占空比
    2%
    测试条件
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    O
    60 ~ 120
    Y
    100 ~ 200
    GR
    150 ~ 300
    GESD880
    页次： 1/2

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