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GI01L60 参数 Datasheet PDF下载

GI01L60图片预览
型号: GI01L60
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 280 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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无铅电镀产品
颁发日期: 2005/08/19
修订日期:
G
I
01L60
描述
特点
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
600V
12
1A
对G
I
01L60 (贯通孔版)可用于低轮廓的应用和适合于交流/直流转换器。
*额定重复性雪崩
*简单的驱动要求
*开关速度快
*符合RoHS
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
E
AS
I
AR
E
AR
TJ , TSTG
评级
600
f 30
1
0.8
3
29
0.232
0.5
1
0.5
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结存储温度范围
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
价值
4.3
110
单位
/W
/W
G
I
01L60
页次: 1/4